توشيبا تطور أول ذاكرة "BiCS FLASH 3D" بتقنية TSV بالعالم
أعلنت توشيبا بشكل رسمي عن تطوير ذاكرة فلاش BiCS FLASH (3D) الأولى في العالم التي تستخدم تقنية Through Silicon Via (TSV) مع تقنية 3bit-per-cell (triple-level cell, TLC).
شحنات النماذج الأولية لغرض التطوير بدأت في شهر يونيو، ونماذج المنتج النهائي قد تم تحديد موعدها لتُطلق في النصف الثاني من عام 2017. النموذج الأولي لهذا الجهاز المتطور سيتم عرضه في مؤتمر 2017 Flash Memory في سانتا كلارا، كاليفورنيا في الولايات المتحدة من 7-10 أغسطس.
الأجهزة المصنوعة مع تقنية TSV تمتلك أقطاب عمودية ومسارات وصول رأسية تمر عبر قوالب السيليكون لتوفر عملية الاتصال, مما يجعلها تحقق إدخال وإخراج بيانات بسرعة عالية أثناء تقليل استهلاك الطاقة. الأداء في العالم الحقيقي تمت برهنته سابقاً، مع تقديم ذاكرة فلاش 2D NAND من توشيبا أيضاً.
ذاكرة فلاش 3D مع 48 طبقة وتقنية TSV قد سمح لتوشيبا بأن تزيد بنجاح عرض النطاق الترددي لبرمجة المنتج أثناء تحقيق استهلاك طاقة منخفض. فكفاءة الطاقة لحزمة واحدة هي تقريباً بمرتين عن ذاكرة BiCS FLASH من نفس الجيل المصنوعة مع تقنية wire-bonding. بالمناسبة الحزمة التي تم عرضها NAND Dual x8 BGA-152 هي في مرحلة التطوير ولم تصل بعد لمرحلة الإنتاج النهائي, سيكون منها نسختين واحدة بتكديس 8 طبقات لتوفر حجم 512GB والأخرى بتكديس 16 طبقة لتوفر حجم 1TB.
أخيراً سوف تسوق توشيبا ذاكرة فلاش BiCS FLASH مع تقنية TSV لتقدم الحل الأمثل فيما يتعلق بتطبيقات التخزين التي تتطلب خمول منخفض، عرض نطاق ترددي عالي وعمليات قراءة وكتابة عشوائية IOPS/Watt عالية، ولتشمل أيضاً سوق أقرص SSD من الفئة المهنية ذات فئة عليا.
على الرغم من المشاكل المالية الضخمة التي تعاني منها توشيبا بسبب عملية الاختلاس المالي التي حدثت معها, ما زلت قادرة على مواصلة العمل الخاص بها في مجال ذاكرة NADA بنجاح
